基于SiO2封装的MAPB QDs分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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基于SiO2封装的MAPB QDs分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种基于SiO2封装的MAPBQDs(MAPBQDs@SiO2)分子印迹电化学发光(MIP‑ECL)传感器及其制备方法和应用，涉及纳米材料、光电化学分析与食品监测、传感相结合技术领域。本发明首先采用简便的配体辅助再沉淀法合成了MAPBQDs@SiO2材料，实现了钙钛矿量子点的高效封装。其次，本发明在玻碳电极上依次修饰混合聚合液的MAPBQDs@SiO2、含有模板分子AFB1的聚合液，然后通过光聚合制备MIP‑ECL传感器。本发明结合了环境稳定性好、选择性高的的分子印迹技术，实

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114636743 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210161622.7 (22)申请日 2022.02.22 (71)申请人湖北大学地址