半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.79万字
约 21页
2023-05-13 发布于北京
举报
版权申诉

半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成目标厚度的阻挡层；对阻挡层进行第一次热处理，第一次热处理的温度为85℃‑100℃；对阻挡层进行曝光处理，并进行第二次热处理，第二次热处理的温度为85℃‑100℃；显影后，在阻挡层中形成通孔区域；根据通孔区域蚀刻基底，以形成通孔。通过在对阻挡层进行曝光处理前后，分别进行了第一次热处理和第二次次热处理，并且第一次热处理的温度范围为85℃‑100℃，第二次热处理的温度范围为85℃‑1

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628322 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210246082.2 (22)申请日 2022.03.14 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230