一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽型SiCMOSFET器件及其制造方法，应用于半导体器件技术领域，所述器件包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、n+源区、p+屏蔽区、p+结区、栅氧化层、多晶硅栅、隔离介质层、源极欧姆接触金属、源极、栅极、漏极欧姆接触金属以及漏极。本发明通过设置第一p阱区和第二p阱区，且第一p阱区的掺杂浓度高于第二p阱区掺杂浓度，以及凸台状的n型缓冲层与p+屏蔽区，且设置p+结区与n型缓冲层的凸台相对，提高了沟槽型SiCMOSFET器件的阈值电压与雪崩耐量，使沟槽型

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628525 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210245628.2 (22)申请日 2022.03.14 (71)申请人南京晟芯半导体有限