超对称半导体激光器及其应用.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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超对称半导体激光器及其应用.pdf

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本公开涉及了一种超对称半导体激光器及其应用，其中超对称半导体激光器包括：主阵列，主阵列的至少一部分的波导层具有有源区，以提供增益促使基横模激射；以及超配对阵列，设置于主阵列的旁侧，由超对称变换得到超配对阵列，超配对阵列的波导层为无源区，以产生损耗并耗散高阶横模；其中，超对称变换可从超配对阵列中滤除主阵列的基横模所对应的本征值，而保留主阵列的至少一部分高阶横模的本征值，主阵列和超配对阵列相互耦合，在外延方向上形成超对称半导体激光器，实现以基横模为主的激光输出，减小半导体激光器的垂直远场发散角，提高

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114640020 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210297390.8 (22)申请日 2022.03.24 (71)申请人中国科学院半导体研