模拟电路知识点复习总结.pptxVIP

模拟电路知识点复习总结;湖南科技大学信息与电气工程学院;一、放大电路的表示方法 ;1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力;（1）电压放大倍数定义为: AU=UO/UI;2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。;3. 输出电阻Ro——从放大电路输出端看进 去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。; 输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。 ;4. 通频带;湖南科技大学信息与电气工程学院;;3）开环输出电阻 ro→0; 理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。 ; (2)虚断;几种常见的基本运算电路;;;3.2.1 载流子的漂移与扩散; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;PN结V-I 特性表达式;;一、PN 结的伏安方程;二、二极管的伏安特性;;（2）恒压降模型;（4）小信号模型; 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻;;(2) 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性 较大的 ?I ? 较小的 ?U 工作在反向击穿状态。 在一定范围内，反向击穿 具有可逆性。;湖南科技大学信息与电气工程学院; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;第33页/共135页; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系;;3. 三极管的三种组态;三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结???向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;(1) 集电极最大允许电流ICM; ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;;;饱和失真的波形;4.3.2 小信号模型分析法;;重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路 ;小信号模型等效电路法的步骤：;三种组态的特点及用途; 阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。;;4.7 多级(组合)放大电路;二、直接耦合方式的优缺点;缺点：①低频特性差（不能放大变化缓慢的低频信号）； ;3、变压器耦合;4.7.2 多级（组合）放大电路的动态分析; 二、输入电阻;第六章 模拟集成电路;6.1.1 BJT电流源电路;6.1.1 BJT电流源电路;6.2.1 差分式放大电路的一般结构;6.2.1 差分式放大电路的一般结构;3.差分放大电路四种接法;1.差分放大电路的任意输入信号都可以分解为一对共模信号和一对差模信号组合，因此单端输入的差分电路仍可看作双端输入时的工作状态。 2.差分放大电路的差模电压放大倍数只与输出方式有关，而于输入方式无关，即输入方式无论是单端输入还是双端输入，只要是双端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就等于单管放大电路的电压放大倍数；凡是单端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就只等于单管放大电路电压放大倍数的一半。 ;湖南科技大学信息与电气工程学院;7.1.1 什么是反馈;输出信号;7.1.3 正反馈与负反馈;7.1.3 正反馈与负反馈;第73页/共135页;7.1.5 电压反馈与电流反馈;;;7.2.1 电压串联负反馈放大电路;7.2.2 电压并联负反馈放大电路;7.2.3 电