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本发明涉及半导体技术领域。一种腐蚀数字化模式的方法,对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录;对当前硅片进行腐蚀过程中,通过浓度传感器对药液的浓度进行检测,对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联;获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053127 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202211271707.7 (22)申请日 2022.10.18 (71)申请人 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 地
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