倒装LED芯片及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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倒装LED芯片及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种倒装LED芯片及其制造方法。该制造方法包括：在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；经由键合层将第一半导体层与透明衬底键合；去除生长衬底，并在第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，第一半导体层、发光层、发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及第二半导体层组成外延层；刻蚀外延层以暴露出部分第一半导体层；形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。通过两次

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628552 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210178972.4 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人厦门士兰明镓化合物半导体有限公