一种谐振器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种谐振器及其制备方法.pdf

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本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法通过引入第一单晶衬底，便于在第一单晶衬底上外延出质量较好的单晶压电层，并且先对第一单晶衬底进行离子注入，从而在其内部一定深度处形成损伤层，从而在去除第一单晶衬底时，首先可以通过升温的方式，使得第一单晶衬底经过高温处理后，第一层和第二层在损伤层处发生分裂，从而先去掉第一单晶衬底的一部分，然后再通过减薄、刻蚀等方式去掉第一单晶衬底剩下的一部分，以此通过两次去除方式的配合，实现第一单晶衬底的快速去除，有效降低第一单晶衬底去除的难度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114640321 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210327335.9 H01L 21/78 (2006.01) (22)申请日 2022.03.