一种半导体器件的制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种半导体器件的制备方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件的制备方法，应用于微电子技术领域，该方法包括:提供半导体基材；采用ZrO2靶材和Hf单质靶材，通过溅射工艺在半导体基材的上方沉积Hf单质掺杂的ZrO2基铁电薄膜层。通过本发明至少在一定程度上解决了现有技术中采用原子层沉积方法生长铁电层时，造成生长效率低，以及在铁电半导体器件引入C、H等杂质导致的铁电性能较差、漏电较大的技术问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628236 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210192427.0 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人中国科学院微电子研究所地