基于低温共烧陶瓷的射频器件及电子设备.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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基于低温共烧陶瓷的射频器件及电子设备.pdf

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本申请实施例公开一种基于低温共烧陶瓷的射频器件及电子设备。射频器件包括基体、设置在所述基体外侧的输入端电极及输出端电极，射频器件还包括一个输入端内电极及一个输出端内电极，所述输入端内电极包括一个第一连接端，所述输出端内电极包括一个第二连接端，所述第一连接端紧密贴合于所述输入端电极，所述第一连接端与输入端电极接触的宽度为第一宽度，所述第二连接端紧密贴合于所述输出端电极，所述第二连接端与输出端电极接触的宽度为第二宽度，其中第一宽度及第二宽度中的至少一个大于100um。采用本申请的实施例，可以提高低温

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114665902 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011535296.9 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人华为技术有限公司地址 51812