碳化硅半导体器件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约4.48万字
约 44页
2023-05-12 发布于四川
举报
版权申诉

碳化硅半导体器件及其制备方法.pdf

1、本文档共44页，其中可免费阅读43页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供一种碳化硅半导体器件及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层，和若干元胞单元，该元胞单元由设置在外延层中的两个相互连接的第一元胞和第二元胞组成，且第一元胞的第一结型场效应区与第二元胞中的第二肖特基电场区相连，每个元胞单元通过在第一结型场效应区与第二肖特基电场区之间设置一个与第一导电类型的外延层的导电类型相反的第二导电类型的注入区，以此利用该注入区与外延层产生空间电荷耗尽区，实现对结型场效应区和肖特基电场区接触的边缘起到电场的屏蔽和保护作用，提高器件的击穿电压以及可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053299 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310068076.7 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日 2023.01