核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管.pdfVIP

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2023-05-11 发布于北京
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核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管.pdf

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本申请涉及金属氧化物材料技术领域，尤其涉及一种核壳型金属氧化物及制备方法、发光二极管。所述核壳型金属氧化物包括：金属氧化物，以及包覆在所述金属氧化物表面的至少一层壳层，形成所述壳层的壳层材料包括无限配位聚合物，且所述无限配位聚合物包括磁性金属离子与有机配体配位形成的结构单元。本申请提供的核壳型金属氧化物，成膜能力提高。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114583066 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011295658.1 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司地址