半导体装置及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于北京
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半导体装置及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极电极、第一电极、及介电层。半导体通道层被设置于基底之上，半导体阻障层被设置于半导体通道层之上。栅极电极被设置于半导体阻障层之上。第一电极被设置于栅极电极的一侧，其中第一电极包括主体部及垂直延伸部，主体部电连接于半导体阻障层，且垂直延伸部的底面低于半导体通道层的顶面。介电层被设置于垂直延伸部及半导体通道层之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582970 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011384166.X (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台