超结器件终端结构.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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超结器件终端结构.pdf

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本发明提供了一种超结器件终端结构，其将终端区的第一导电类型外延层分为第一至第三区，第一区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型主结，第二区的第一导电类型外延层的顶层中形成第二导电类型的掺杂区，且掺杂区的掺杂浓度小于主结的掺杂浓度，掺杂区底部下方的第二导电类型柱的顶部齐平或低于主结下方的第二导电类型柱的顶部，第三区中距离截止环掺杂区近的第二导电类型柱的顶部高度低于距离第二区近的第二导电类型柱的顶部高度，由此，不仅将主结边缘的电场峰值引入终端结构体内，还有效降低截止环掺杂区及周围的表面电场，减

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512534 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210134562.X (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公