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2023-05-10 发布于四川
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半导体装置具有半导体基板(10)、在半导体基板(10)之上形成的电极(11)及配线(12)、将半导体基板(10)之上覆盖的保护膜。该保护膜包含将电极(11)及配线(12)的至少一部分覆盖的主保护膜(20)和在半导体基板(10)的各角部(10a)处分别独立地形成的哑保护膜(21)。主保护膜(20)在俯视观察时在半导体基板(10)的各角部(10a)具有倒角部(20a)。哑保护膜(21)在倒角部(20a)的外侧与主保护膜(20)分离地配置。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114556547 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 201980101450.0 (51)Int.Cl.