激光干涉光刻设备和方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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激光干涉光刻设备和方法.pdf

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本公开提供了一种激光干涉光刻方法，包括：对涂覆有光刻胶的芯片执行干涉曝光；以及对经干涉曝光的芯片执行图案化泛曝光，其中执行泛曝光包括：确定在所述经干涉曝光的芯片中的第一光场分布；基于所述第一光场分布、预期的图案分布和用于所述泛曝光的泛光光源的参数，确定所述泛光光源的光场分布，作为第二光场分布；以及基于所述第二光场分布，对所述泛光光源的光场分布进行图案化，并控制具有经图案化的光场分布的所述泛光光源对经干涉曝光的芯片进行泛曝光，从而在经泛曝光的芯片中形成所述预期的图案分布。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114509916 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202011282106.7 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人香港大学地址中国香港薄扶林道