检测结构及其形成方法、检测方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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检测结构及其形成方法、检测方法.pdf

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一种检测结构及其形成方法、检测方法，包括：衬底，衬底包括测试区，测试区包括若干第一有源区；位于若干第一有源区上的第一栅极结构和第二栅极结构；位于第一有源区内的第一源漏掺杂层、第二源漏掺杂层和第三源漏掺杂层；位于第一源漏掺杂层上的第一导电结构；位于第三源漏掺杂层上的第三导电结构。通过在第一导电结构和第一栅极结构上加第一电压；在第三导电结构和衬底上加第二电压，第二电压小于第一电压。在第一栅极结构和第二栅极结构发生短接时，第一栅极结构上加的第一电压也会等效加于第二栅极结构上，第一源漏掺杂层和第三源漏掺

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551403 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202011330890.4 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人中芯国际集成电路制