一种制造沟槽MOSFET的方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种制造沟槽MOSFET的方法.pdf

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本发明实施例公开了一种制造沟槽MOSFET的方法，包括：对半导体基底生长一层热氧化层、沉积硬掩膜以及刻蚀形成从半导体上表面延伸至其内部的沟槽；于沟槽内形成侧氧化层；于沟槽注入硬掩膜；在沟槽中形成覆盖沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体；将热氧化层去除；进行湿法刻蚀，以去除侧氧化层；于沟槽上方沉积氧化层；刻蚀氧化层,使氧化层的上表面低于屏蔽导体的上表面；于沟槽内、氧化层上方生成栅介质层和栅极导体，栅介质层位于沟槽的上部侧壁，且将栅极导体与半导体基底隔开；以及于半导体基底形成体区、源区以及漏极电极。本发明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496762 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210380606.7 (22)申请日 2022.04.13 (71)申请人杭州芯迈半导体技术有限公司地址