三维存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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三维存储器及其制造方法.pdf

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本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底上形成第一区，所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构，所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构；在所述第一区上形成阵列共源极，所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接；以及在所述阵列共源极上形成第二区，所述第二区包括第二堆叠结构及第二沟道结构，所述第二沟道结构贯穿所述第二堆叠结构、且与所述阵列共源极连接。在本发明实施例中，第一区与第二区垂直设置，且两者共用阵列共源极，能够克服形成沟道孔的工艺难度，实现高层数堆叠，并且能够减

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512493 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210132655.9 (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4