一种钨膜形成方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约9.59千字
约 8页
2023-05-09 发布于北京
举报
版权申诉

一种钨膜形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496781 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011173341.0 (22)申请日 2020.10.28 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10