驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路.pdf

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本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路，属于SiCMOSFET驱动技术领域，解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、电源VG1～VG2、开关管S1～S6，电阻RG1～RG2；其中，控制芯片，用于输出开关管S1～S6控制信号至开关管S1～S6的栅极；开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接；开关管S3～S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接，并接地；开关管S6的漏极与电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114499113 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011263085.4 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人北京机械设备研究所