具有低暗电流的光侦测装置.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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本申请提供一光侦测装置。光侦测装置包含：具有一第一表面的一载子导通层；一吸收区，其掺杂具有第一导电类型及第一峰值掺杂浓度的第一掺杂物，载子导通层掺杂具有第二导电类型及第二峰值掺杂浓度的第二掺杂物，载子导通层包含与吸收区的材料不同的材料，载子导通层与吸收区接触以形成至少一异质界面，吸收区的第一峰值掺杂浓度与载子导通层的第二峰值掺杂浓度间的比例等于或大于10；及都形成于载子导通层的第一表面之上的第一电极与第二电极。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503265 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080060687.1 (72)发明人卢彦丞　那允中　 (22)申请日 2020.08.27