基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置.pdf

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本发明提供了一种基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置，包括：在单晶硅晶圆的正反两面沉积掩膜层；在正反两面的掩膜层上沉积胶层，对胶层进行光刻显影以形成气室图形；基于气室图形对光刻显影后的单晶硅晶圆进行硅通孔刻蚀；将单晶硅晶圆与玻璃圆片进行硅‑玻阳极键合；在气室腔体内填充碱金属化合物；将填充完碱金属化合物的第一硅‑玻组合体的气室腔体开口处的表面设置第二玻璃圆片，抽真空并填充缓冲气体，对第二硅‑玻组合体进行硅‑玻阳极键合；对硅‑玻阳极键合后的第二硅‑玻组合体的气室腔体内的碱金属原子进行还原反

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114477074 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111583788.X (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人北京自动化控制设备研究所地址 1