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2023-05-09 发布于北京
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一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器。所述调制器包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域。所述调制区域包括n‑i‑p‑n结，所述n‑i‑p‑n结包括：第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503020 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080066681.5 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公