点光源型发光二极管及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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提供一种能够简化制造工序且能够降低发光图案中的来自光释放窗之外的发光的点光源型发光二极管及其制造方法。本发明的点光源型发光二极管具备：基板、n型包层、发光层、p型包层、具有开口部的n型电流局限层、设置在前述n型电流局限层上的p型接触层、以及具有光释放窗的p型电极，所述光释放窗的中心与前述开口部相同，前述光释放窗的窗开口宽度的大小为前述开口部的开口宽度以上，前述点光源型发光二极管具有在厚度方向上从前述p型接触层至前述发光层的氢离子注入部，前述发光层具有非注入区域和氢离子注入区域，所述非注入区域的中

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503291 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080069775.8 (74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事