半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、铁电膜、第一种子层和控制栅极电极。半导体衬底包括形成在半导体衬底的主表面上的源极区和漏极区。绝缘膜形成在半导体衬底的主表面上，使得绝缘膜在平面图中位于源极区与漏极区之间。铁电膜形成在绝缘膜上并且包括铪和氧。第一种子层形成在铁电膜上。控制栅极电极形成在铁电膜上。第一种子层的材料包括铁电膜的至少一种材料和第一导电膜的至少一种材料。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497071 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111196828.5 (22)申请日 2021.10.14 (30)优先权数据 17/097,823 2020