半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括衬底正面和衬底背面，衬底正面和衬底背面均依次堆叠有介质层和贴合层；在衬底正面形成隔离结构，隔离结构贯穿所述贴合层和介质层并延伸至衬底中，且隔离结构覆盖贴合层表面；在隔离结构表面以及衬底背面的贴合层表面均形成缓冲层；去除衬底正面的缓冲层、贴合层以及高于介质层的隔离结构；在衬底正面的介质层和隔离结构表面以及衬底背面的缓冲层表面形成栅极材料层；以衬底背面的缓冲层和栅极材料层作为保护层，在逻辑器件区执行后续工艺。本申请技术方案

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497088 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011144559.3 (22)申请日 2020.10.23 (71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限