一种半导体结构的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

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本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有接触孔；在接触孔的底部形成SiGe层；在SiGe层上方沉积欧姆金属层；在欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；对欧姆金属层进行热处理后，去除覆盖金属层；在去除覆盖金属层后的欧姆金属层上方沉积扩散阻挡层及主体金属层；在接触孔的内部预先形成SiGe层，可在接触孔内部形成锗硅化物；由于Ge比Si的电子移动速率快，因此可实现较低的电阻率，确保半导体结构的性能；且在形成金属结构时不需要消耗大量的硅基板，提高锗硅化物的形成位

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496905 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011174094.6 (22)申请日 2020.10.28 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10