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本发明公开了一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构,涉及半导体技术领域,用于消除晶圆背面的硬性粒子对光刻工艺的影响,从而提高半导体器件的品质。所述研磨装置包括:旋转件、以及设置在旋转件一侧的研磨件;其中,旋转件用于固定晶圆与研磨件的相对位置,以及用于带动晶圆旋转;研磨件具有对晶圆的背面进行研磨的研磨区域,旋转件的旋转轴至研磨区域的边缘的最短垂直距离小于晶圆的半径。所述研磨装置应用于抛光设备中。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496832 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011173868.3 (22)申请日 2020.10.28 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10
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