MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用.pdf

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本公开的各实施例涉及MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区，该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区。第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446954 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111216585.7 H01L 29/423 (2006.01)