基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料与制备.pdf

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本发明涉及一种基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料及其制备方法，该材料包括衬底层，以及由下至上依次设于衬底层上的低温缓冲层、组分渐变Si1‑xCx应变层及覆盖层；组分渐变Si1‑xCx应变层由多个依次堆叠设置的Si1‑xCx层组成，多个Si1‑xCx层中C元素掺杂浓度x由下至上依次减小。与现有技术相比，本发明将p区和n区的材料做成组分渐变Si1‑xCx层，利用Si1‑xCx应变层中材料的带隙宽度随C元素掺杂浓度的提高而降低的特点，使组分渐变Si1‑xCx应变层下部区域材料具有较小带隙宽度，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361274 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210012005.0 (22)申请日 2022.01.07 (71)申请人上海交