一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片.pdf

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本发明涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片。半导体发光元件包括图形化衬底，N型半导体层、发光层和P型半导体层；P型半导体层、发光层和部分N型半导体层的侧壁组成了第一侧壁；除第一侧壁以外的N型半导体层的侧壁为第二侧壁；第二侧壁与所述图形化衬底之间裸露出图形化结构的台阶面为第一台阶面；图形化衬底的侧壁为第三侧壁。通过设置多层侧壁结构，能够提高半导体发光元件的出光效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335281 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111682112.6 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司