半导体器件高阻失效的测试方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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半导体器件高阻失效的测试方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件高阻失效的测试方法，包括：提供测试样品及其设计版图，将所述测试样品中可能存在高阻的路径设置为待测路径；根据所述设计版图找到所述待测路径的两个端点，并将所述待测路径接入一测试电路；以及，对所述待测路径进行电性测试，根据所述电性测试的测试结果判断所述待测路径是否存在高阻。本发明通过设置半导体器件的待测路径并对其进行电性测试，从而准确判断所述待测路径是否存在高阻失效，提高了测试效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114355136 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111626353.9 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人上海华力微电子有限公司