热载流子双向分离型类p-i-n型二维异质结及制备方法、器件.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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热载流子双向分离型类p-i-n型二维异质结及制备方法、器件.pdf

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本发明公开了热载流子双向分离型类p‑i‑n型二维异质结及制备方法、器件。所述异质结为三明治结构，所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料；或者，所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。所述制备方法包括：在衬底表面沉积一层n型半导体材料；采用物理气相沉积的方式在n型半导体材料表面沉积一层具有纳米结构的金属；在所述具有纳米结构的金属表面沉积一层p型半导体材料。本发明通过设置在中间的纳米结构的金属分别与p型半导体和n型半导体形成肖特

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335244 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111621705.1 C23C 14/35 (2006.01)