一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺.pdf

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本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micr

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334640 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111522470.0 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人闽都