一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法.pdf

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本发明公开一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法。该小尺寸的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在N阱区表面形成有窗口；半浮栅，覆盖所述半浮栅介质层并完全填充所述U形槽，且在窗口处与N阱区表面相接触；控制栅介质层，形成在所述半浮栅上表面；控制栅，覆盖所述控制栅介质层；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧的N阱区中。通过半浮栅晶体管U形槽侧壁寄生的PMOS管对半浮栅区域

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335188 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202210001044.0 (22)申请日 2022.01.04 (71)申请人复旦大学地址 20