一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器.pdf

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本发明涉及一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器，属于存储器技术领域，解决现有闪存单元面临着工艺度复杂高、逻辑工艺兼容性差以及擦写功耗高的问题。该存储单元包括：两个PMOS晶体管，其中，每个PMOS晶体管包括：N阱，设置在半导体衬底上方并且掺杂有P型掺杂剂；源极和漏极，设置在所述N阱中并且所述源极和所述漏极通过所述N阱的凸出部分间隔开；栅极，设置在部分源极、所述N阱的凸出部分和部分漏极上方，其中，第一PMOS晶体管的第一N阱与所述第二PMOS晶体管的第二N阱分离开。本申请不需要额外的工艺制作浮

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114360594 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111683748.2 H01L 27/11529 (2017.01) (22)申请日