半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括基底及凸出于所述基底的鳍部；形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述基底并部分填充于相邻的鳍部之间；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖暴露于所述衬垫层之外的鳍部的外壁，所述牺牲层的材质与所述鳍部的材质相同；以及，利用至少部分所述牺牲层形成栅氧层，所述栅氧层覆盖所述鳍部。本发明中，利用与鳍部相同材质的牺牲层覆盖于鳍部的表面以补偿已消耗的鳍部，并且预补偿后续待消耗的鳍部，以解决半导体器件制造过程中鳍部硅损耗而导致的线宽损失问题。另外，该牺牲层形成于衬

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361036 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111640459.4 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中