鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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本发明提供一种鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法，该鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有鳍片，鳍片为上窄下宽结构，鳍片具有竖直部及倾斜部，竖直部的顶面具有掩模层；执行离子注入工艺以改变至少部分倾斜部的材质；执行蚀刻工艺以去除被离子注入的倾斜部，蚀刻工艺中被离子注入的倾斜部的蚀刻速率大于竖直部的蚀刻速率。本发明中，通过对鳍片的倾斜部执行离子注入工艺，以使离子注入的倾斜部的材质发生改变，使其材质不同于未离子注入的鳍片，并据此在蚀刻工艺中利用两者的刻蚀选择性去除离子注入的倾斜部，以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334634 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111681692.7 H01L 29/10 (2006.01)