一种横向场效应管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种横向场效应管及其制备方法.pdf

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本申请提供一种横向场效应管及其制备方法，涉及半导体技术领域，横向场效应管在无源区内设置的栅极焊盘和源极焊盘分别由器件功能层的第一表面延伸至衬底表面，其中，栅极焊盘自身分别与器件功能层和衬底绝缘隔离，源极焊盘与衬底短接，如此，使得栅极焊盘通过与衬底短接的源极焊盘形成电容结构，能够增大栅极焊盘和源极焊盘之间形成的器件的栅源电容C，从而有效的缓解所产生的振荡，降低功率器件的损耗，避免横向场效应管的误开启。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335165 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111629255.0 H01L 21/335 (2006.01)