1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种1.55微米波段雪崩光电探测器，从下至上依次包括衬底层、阴极接触层、N型电荷层、InAs/AlAs数字合金倍增层、P型电荷层、能带过渡层、In0.53Ga0.47As吸收层、阻挡电子向阳极方向扩散的电子阻挡层及阳极接触层；采用InAs/AlAs数字合金作为雪崩光电探测器的倍增层可将过剩噪声系数相比应用较为广泛的In0.52Al0.48As有明显下降，离化系数比从0.2下降至0.15左右；In0.53Ga0.47As吸收层采用了部分带有P型掺杂的部分耗尽结构，可以通过减少光生空穴的漂

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361285 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111672513.3 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人上海科技大学地址