半导体器件的制备方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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半导体器件的制备方法及半导体器件.pdf

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本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334632 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111652858.2 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人北海