一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片.pdf

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本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片，所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极，所述PN结结构为N+PN‑NP+结构，从上到下依次包括N+层、基层、N‑层、N层和P+层，通过所述PN结结构实现降低光触发多门极半导体开关芯片的漏电流。所述PN结结构为N+PN‑NP+结构的形成方式包括：将N基区分成N‑层和N层，或者在P区和N基区之间增加N‑层。所述阴极电极的结构为圆环状或梳条状电极结构。本发明解决了传统光触发多门极半导体开关芯片在高温(

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361287 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210003973.5 (22)申请日 2022.01.04 (71)申请人中国