一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法.pdf

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本发明的一种大尺寸单晶金刚石膜生长和剥离方法属于晶体生长技术领域，步骤包括在单晶金刚石作为衬底旋涂光刻胶，设计的掩膜图形，沉积掩膜材料，去除光刻胶，沉积生长金刚石外延层，浸泡剥离等。本发明技术方案中外延生长的单晶金刚石膜在冷却过程中由于应力的差异而自然剥离，外延生长的晶体质量高，材料损耗小，且不受材料尺寸限制。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318527 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111645882.3 C30B 25/04 (2006.01)