一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法.pdf

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本发明属于微电子器件封装技术领域，具体公开了一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法，包括：获取第一晶圆的第一初始翘曲度和第二晶圆的第二初始翘曲度，分别对第一晶圆和第二晶圆施加应力，使得第一晶圆发生形变调整以补偿第一初始翘曲度，第二晶圆发生形变调整以补偿第二初始翘曲度；对发生形变调整后的第一晶圆和第二晶圆进行表面活化，在室温及1000mbar～6000mbar压强下进行键合，得到键合结构；施加应力的方法为沉积二氧化硅薄膜，通过调整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能控制应力方向和大小。本发明通过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334622 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111527377.9 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人全球能源互联网研究院有限公司