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气环及所述半导体反应腔.pdfVIP

气环及所述半导体反应腔.pdf

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    本发明提供一种多层的气环，包含：多层，每一层包含：一第一气道，上游连接进气口；一第二气道，上游连接所述第一气道，下游连接出气口，可以避免直接在反应腔上加工气道的困难，还能将气道中压力维持一致，使不同的反应气体均匀的导入至反应区域中。本发明还提供了一种半导体反应腔。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318301 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111669842.2 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 拓荆科技股份有限公司

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