一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种MOSFETs栅氧化层陷阱分布的噪声表征方法.pdf

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本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法，其步骤如下：1)测量转移特性提取阈值电压，在线性区测试器件噪声功率谱密度Sid；2)根据测量数据绘制双y轴图，判断噪声涨落机理；3)计算在某一栅压Vg下栅氧化层的陷阱能量位置分布；4)对所有栅压重复步骤3，绘制氧化层陷阱的能量位置分布图。该方法突破了仅用均匀分布或者指数分布表征陷阱随位置分布的局限性，且同时考虑了陷阱位置和能量分布的不均匀性，并通过绘制三维图像，可清晰观察氧化层陷阱随能量位置的分布。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114355141 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111682008.7 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人西安电子科技大学地址