NAND Flash叠层结构栅极制造方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于四川
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NAND Flash叠层结构栅极制造方法.pdf

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本发明公开了一种NANDFlash叠层结构栅极制造方法，包括：第一次生长控制栅多晶硅之后，沉积氧化硅；光刻曝光选择栅极和外围栅极区域需移除层间介质层的区域；层间介质层刻蚀，去除选择栅极和外围栅极顶部曝开区域的氧化硅层、第一次生长的控制栅多晶硅和层间介质层，直至浮栅多晶硅；第二次生长控制栅多晶硅，第二次生长后的控制栅多晶硅底面至少与所述氧化硅层顶面持平；去除高于氧化硅层的第二次生长后的控制栅多晶硅；去除全部氧化硅；第三次生长控制栅多晶硅，使最终控制栅多晶硅的总厚度为设计厚度。采用本发明的工艺方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220814 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111376060.X (22)申请日 2021.11.19 (71)申请人上海华力微电子有限公司