一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于四川
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一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法.pdf

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本发明公开一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。该分栅结构的半浮栅晶体管包括衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U型槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖所述第一栅氧化层并完全填充所述U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖所述半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在所述控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220741 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111414300.0 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人复旦大学地址 20