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本发明属于钙钛矿电池技术领域,具体为一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法。通过原子层沉积可以将各种金属氧化物制备成P型半导体电子传输层薄膜或N型半导体空穴传输层薄膜,薄膜的厚度可以通过原子层沉积系统中设定的工艺参数进行控制,厚度偏差控制到单原子直径的厚度。本发明具有操作简单,制成的薄膜纯度高、质量好,薄膜厚度可控制,效率高等优势,是制备钙钛矿电池电荷传输层的绝佳选择。对于正式结构的钙钛矿电池,制备的N型半导体空穴传输层薄膜可以作为钙钛矿半导体材料薄膜的保护层;对于反式结构的钙钛矿电池,制备的P型半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114220925 A
(43)申请公布日 2022.03.22
(21)申请号 202111510064.2
(22)申请日 2021.12.10
(71)申请人 中国科学院大连化学物理研究所
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